MOSFET de potencia Vishay, N-Canal SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 165-6930
- Nº ref. fabric.:
- SI1922EDH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 165-6930
- Nº ref. fabric.:
- SI1922EDH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 263mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -8V, +8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Anchura | 1.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 263mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 2.2mm | ||
Anchura 1.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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