MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN3190LDW-7, VDSS 30 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
827-0480
Nº ref. fabric.:
DMN3190LDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

335mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1mm

Anchura

1.35 mm

Certificaciones y estándares

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Longitud

2.2mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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