MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 8 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Interruptor de

Código RS:: 163-1114
Nº ref. fabric.:: NTJD1155LT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 8 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Interruptor de

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Código RS:: 163-1114
Nº ref. fabric.:: NTJD1155LT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	8V
	Encapsulado	SC-88
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	320mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	400mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Tensión directa Vf	-0.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Interruptor de carga N+P
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.35 mm
	Altura	1mm
	Longitud	2.2mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 8V
	Encapsulado SC-88
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 320mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 400mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Tensión directa Vf -0.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Interruptor de carga N+P
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.35 mm
	Altura 1mm
	Longitud 2.2mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

Características y ventajas:

• Protección contra ESD

• Interruptor de carga de canal P de Rds ultra bajas

• Rango V de 1,8 - 8,0V

• Rango de encendido/apagado: De 1,5 a 8,0V

• Paquete SOT 363

• Carga de tracción de hasta 1,3A con 8 V.

Aplicaciones:

• Interruptor de carga del lado alto con cambio de nivel

• Teléfonos móviles

• Cámaras digitales

• PDA

• Reproductores de medios

MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor

El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.

MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 8 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Interruptor de

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Características y ventajas:

Aplicaciones:

MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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