Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal NTJD4158CT1G, VDSS 30 V, ID 880 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 780-0614
Nº ref. fabric.:: NTJD4158CT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal NTJD4158CT1G, VDSS 30 V, ID 880 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 780-0614
Nº ref. fabric.:: NTJD4158CT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	880mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SC-88
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	500mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	270mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Tensión directa Vf	0.65V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Anchura	1.35 mm
	Altura	1mm
	Longitud	2.2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 880mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SC-88
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 500mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 270mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Tensión directa Vf 0.65V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Anchura 1.35 mm
	Altura 1mm
	Longitud 2.2mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor

El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal NTJD4158CT1G, VDSS 30 V, ID 880 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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