MOSFET onsemi NTJD4158CT1G, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 mA, 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 780-0614
Nº ref. fabric.:: NTJD4158CT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTJD4158CT1G, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 mA, 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Precio unitario (Suministrado en Tiras de 25)

0,195 €

(exc. IVA)

0,236 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Cinta*
25 - 100	0,195 €	4,875 €
125 - 225	0,185 €	4,625 €
250 - 600	0,175 €	4,375 €
625 - 1225	0,166 €	4,15 €
1250 +	0,16 €	4,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 780-0614
Nº ref. fabric.:: NTJD4158CT1G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor

El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	250 mA, 880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V, 30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,5 Ω, 500 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	270 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,9 nC a 5 V, 2,2 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Longitud	2.2mm
Material del transistor	Si
Ancho	1.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm