MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 880 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
163-1118
Nº ref. fabric.:
NTJD4158CT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

880mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

500mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.65V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

270mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.9nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Anchura

1.35 mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.2mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor


El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.

Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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