MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NTJD5121NT1G, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
780-0627
Nº ref. fabric.:
NTJD5121NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.9nC

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

266mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.2mm

Anchura

1.35 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor


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