MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

216,00 €

(exc. IVA)

261,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 14 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,072 €216,00 €

*precio indicativo

Código RS:
122-3313
Nº ref. fabric.:
DMN3190LDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

335mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

1.35mm

Certificaciones y estándares

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Longitud

2.2mm

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.