MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 200 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
165-8845
Nº ref. fabric.:
DMN65D8LDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.43nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

2.2mm

Anchura

1.35 mm

Certificaciones y estándares

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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