MOSFET DiodesZetex DMN65D8LDW-7, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 822-2602
Nº ref. fabric.:: DMN65D8LDW-7
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex DMN65D8LDW-7, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

83200 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 100)

0,035 €

(exc. IVA)

0,042 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
100 +	0,035 €	3,50 €
*precio indicativo

Código RS:: 822-2602
Nº ref. fabric.:: DMN65D8LDW-7
Fabricante:: DiodesZetex

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	20V
Disipación de Potencia Máxima	400 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	1.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,87 nC a 10 V
Longitud	2.2mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 822-2602
Nº ref. fabric.:: DMN65D8LDW-7
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex DMN65D8LDW-7, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.

Especificaciones

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.

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