MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN63D8LDW-7, VDSS 30 V, ID 260 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
822-2598
Nº ref. fabric.:
DMN63D8LDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

260mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.4nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Certificaciones y estándares

UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101

Anchura

1.35 mm

Altura

1mm

Longitud

2.2mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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