MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 145-2681
- Nº ref. fabric.:
- SI1967DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 790mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Anchura | 1.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 790mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Anchura 1.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,1 A - SI1967DH-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de montaje en superficie de canal P diseñado para conmutación de baja tensión en sistemas electrónicos compactos. Funciona como un dispositivo de modo de mejora y está diseñado para el control de potencia de nivel de placa donde se requiere un manejo de corriente modesto y un tamaño pequeño.
Características y ventajas:
• La calificación de drenaje de fuente de 20 V permite la implementación de sistemas de baja tensión • La corriente de drenaje continua de 1,1 A admite conmutación de potencia ligera • La baja Rds(on) de 790 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento • La carga de puerta típica de 2,6 nC permite transiciones de puerta más rápidas • La disipación de potencia de 1,25 W gestiona la carga térmica en conjuntos pequeños • El transistor aislado de dos elementos permite disposiciones de conmutación emparejadas
Aplicaciones
• Apto para la gestión de baterías y la conmutación de carriles de alimentación en equipos portátiles • Ideal para conmutación de carga en módulos de control industrial • Se utiliza para la protección contra polaridad inversa en sistemas integrados • Se puede utilizar para cambiar el nivel de señal en circuitos de tensión mixta
¿Qué encapsulado debo planificar al diseñar la PCB?
El dispositivo se suministra en un encapsulado SMD SC‐88 de 6 contactos que ocupa un tamaño compacto adecuado para placas de alta densidad.
¿Cómo afecta la temperatura a los límites de funcionamiento?
El componente está especificado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que define los entornos ambientales y de unión admisibles para una conmutación fiable.
¿Se puede utilizar este componente en sistemas de automoción?
No está clasificado conforme a los estándares de automoción, por lo que la idoneidad debe evaluarse frente a los requisitos de certificación de vehículos antes de su uso.
¿Qué rango de tensión de puerta es admisible para las señales de control?
La unidad de puerta no debe exceder un límite de puerta a fuente de 8 V para evitar sobretensión del dispositivo.
¿Cuántos elementos de transistor hay en el chip y qué configuración tienen?
El chip contiene dos elementos aislados configurados para permitir disposiciones de conmutación independientes o emparejadas.
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