MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

555,00 €

(exc. IVA)

672,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,185 €555,00 €

*precio indicativo

Código RS:
145-2681
Nº ref. fabric.:
SI1967DH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

790mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.25W

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Altura

1mm

Longitud

2.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.35 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados