MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo P-Canal SI1025X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 135 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 812-3029
- Nº ref. fabric.:
- SI1025X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 812-3029
- Nº ref. fabric.:
- SI1025X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 135mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SC-89-6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | -1.4V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Altura | 0.6mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 135mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SC-89-6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf -1.4V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.2mm | ||
Longitud 1.7mm | ||
Altura 0.6mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET Vishay Tipo P-Canal SI1025X-T1-GE3 ID 135 mA Mejora de 6 pines config. Aislado
- MOSFET Vishay Tipo N-Canal SI1029X-T1-GE3 ID 300 mA Mejora de 6 pines config. Aislado
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-89 de 6 pines
- MOSFET Vishay VDSS 20 V SC-89 2, config. Doble
- MOSFET Vishay VDSS 30 V TSOP-6 1, config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS -30 V PowerPack config. Doble
- MOSFET Vishay Tipo P-Canal SI3585CDV-T1-GE3 ID 3.9 A Mejora de 6 pines config. Doble
- MOSFET Vishay Tipo N-Canal SI4532CDY-T1-GE3 ID 6 A Mejora de 8 pines config. Aislado