MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo P-Canal SI1025X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 135 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
812-3029
Nº ref. fabric.:
SI1025X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

135mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SC-89-6

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

-1.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

250mW

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.6mm

Anchura

1.2mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

1.7mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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