MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

9,14 €

(exc. IVA)

11,06 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 1360 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
20 - 1800,457 €9,14 €
200 - 4800,43 €8,60 €
500 - 9800,389 €7,78 €
1000 - 19800,366 €7,32 €
2000 +0,343 €6,86 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9055
Nº ref. fabric.:
SI1029X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-89-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.4V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

750nC

Disipación de potencia máxima Pd

250mW

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

1.7mm

Altura

0.6mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.