MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

8,92 €

(exc. IVA)

10,80 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Está siendo descatalogado
  • Últimas 1560 unidad(es) disponibles desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
20 - 1800,446 €8,92 €
200 - 4800,42 €8,40 €
500 - 9800,38 €7,60 €
1000 - 19800,358 €7,16 €
2000 +0,335 €6,70 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9055
Nº ref. fabric.:
SI1029X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-89-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

750nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

250mW

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

1.7mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.7 mm

Altura

0.6mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados