MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
787-9055
Nº ref. fabric.:
SI1029X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-89-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

250mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

750nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.7mm

Altura

0.6mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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