MOSFET Vishay, N-Canal SI1034CX-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 500 mA, SC-89, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 180-7262
Nº ref. fabric.:: SI1034CX-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, N-Canal SI1034CX-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 500 mA, SC-89, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 180-7262
Nº ref. fabric.:: SI1034CX-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	500mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SC-89
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.396Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	220mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.3nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8V
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.2mm
	Longitud	1.7mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	600μm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 500mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SC-89
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.396Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 220mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.3nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.2mm
	Longitud 1.7mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 600μm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal N doble de montaje superficial Vishay tiene una tensión de fuente de drenaje de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 396mohm a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una potencia nominal máxima de 220MW W. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 610mA A. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Fuente de puerta protegida contra ESD: 1000V

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Dispositivos alimentados por batería

• Controladores: Relés, solenoides, lámparas, martillos, pantallas, recuerdos

• Conmutación de carga/potencia para dispositivos portátiles

• Circuitos del convertidor de la fuente de alimentación

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado