MOSFET Vishay SI1077X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 760 mA, SC-89-6 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 159-6521
Nº ref. fabric.:: SI1077X-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1077X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 760 mA, SC-89-6 de 6 pines, , config. Simple

8340 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,11 €

(exc. IVA)

0,13 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,11 €	330,00 €
6000 - 12000	0,104 €	312,00 €
15000 +	0,094 €	282,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 159-6521
Nº ref. fabric.:: SI1077X-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Si1071X, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	760 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SC-89-6
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	244 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.7V
Disipación de Potencia Máxima	236 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Longitud	1.7mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,43 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.6mm

MOSFET Vishay SI1077X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 760 mA, SC-89-6 de 6 pines, , config. Simple

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor