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MOSFET onsemi NTE4151PT1G, VDSS 20 V, ID 760 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 124-5403
Nº ref. fabric.:: NTE4151PT1G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica (2)

MOSFET onsemi NTE4151PT1G, VDSS 20 V, ID 760 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple

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(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,086 €	258,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 124-5403
Nº ref. fabric.:: NTE4151PT1G
Fabricante:: onsemi

COO (País de Origen):: CN

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	760 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-523 (SC-89)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	310 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-6 V, +6 V
Ancho	0.95mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	2,1 nC a 5 V
Longitud	1.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Mantenimiento de la web – Del viernes 21 al domingo 23 de junio

MOSFET onsemi NTE4151PT1G, VDSS 20 V, ID 760 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica (2)

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor

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