MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 915 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines

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Código RS:
184-1063
Nº ref. fabric.:
NTE4153NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

915mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-89

Serie

NTE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

6 V

Disipación de potencia máxima Pd

300mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.82nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.8mm

Longitud

1.7mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

0.95 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Small Signal MOSFET 20V 915mA 230 mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD Protection

Low RDS(on) Improving System Efficiency

Low Threshold Voltage, 1.5V Rated

ESD Protected Gate

Applications:

Load/Power Switches

Power Supply Converter Circuits

Battery Management

Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.

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