MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTE4151PT1G, VDSS 20 V, ID 760 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines

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Código RS:
780-0554
Nº ref. fabric.:
NTE4151PT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

760mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-89

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

6 V

Disipación de potencia máxima Pd

310mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.7mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.8mm

Anchura

0.95 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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