MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 915 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- Código RS:
- 103-5120
- Nº ref. fabric.:
- NTA4153NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
153,00 €
(exc. IVA)
186,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 33.000 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,051 € | 153,00 € |
| 9000 + | 0,049 € | 147,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 103-5120
- Nº ref. fabric.:
- NTA4153NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 915mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-75 | |
| Serie | NTA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 6 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300mW | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.82nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 0.8mm | |
| Anchura | 1.6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 915mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-75 | ||
Serie NTA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 6 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300mW | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.82nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 0.8mm | ||
Anchura 1.6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines