MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTA4001NT1G, VDSS 20 V, ID 240 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- Código RS:
- 780-0494
- Nº ref. fabric.:
- NTA4001NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 100 unidades)*
8,90 €
(exc. IVA)
10,80 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,089 € | 8,90 € |
| 500 - 900 | 0,077 € | 7,70 € |
| 1000 + | 0,067 € | 6,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 780-0494
- Nº ref. fabric.:
- NTA4001NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 240mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | NTA4001N | |
| Encapsulado | SC-75 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±10 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Longitud | 1.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.9 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 240mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie NTA4001N | ||
Encapsulado SC-75 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±10 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.8mm | ||
Longitud 1.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.9 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-89 de 3 pines