MOSFET Vishay SI1025X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 135 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:
165-6899
Nº ref. fabric.:
SI1025X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

135 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SC-89-6

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

1.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

1.2mm

Número de Elementos por Chip

2

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,7 nC a 15 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.6mm

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor



Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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