MOSFET Vishay SI3457CDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,1 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 146-4440
- Nº ref. fabric.:
- SI3457CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descatalogado
- Código RS:
- 146-4440
- Nº ref. fabric.:
- SI3457CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de Canal | P | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,1 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tipo de Encapsulado | TSOP-6 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 6 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 13 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | -3V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | -1V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 3 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Ancho | 1.7mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 10 nC a 10 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 1mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de Canal P | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 5,1 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tipo de Encapsulado TSOP-6 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 6 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 13 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima -3V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima -1V | ||
Disipación de Potencia Máxima 3 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Ancho 1.7mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 3.1mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 10 nC a 10 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 1mm | ||
El semiconductor Vishay SI3457CDV-T1-GE3 es un 5 de 6 contactos, 30 V. MOSFET de canal P de montaje superficial de 1 A que se utiliza generalmente para interruptor de carga.
Libre de halógenos conforme a la definición IEC 61249-2-21
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