MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 0.53 A, SC-89 de 3 pines
- Código RS:
- 256-7338
- Nº ref. fabric.:
- SI1062X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
198,00 €
(exc. IVA)
240,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 14 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,066 € | 198,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7338
- Nº ref. fabric.:
- SI1062X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.53A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-89 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.53A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-89 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El canal N de 20 V, 530 mA (Ta) y 220 mW (Ta) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie con tipo de encapsulado SC-89-3 y sus aplicaciones son conmutación de carga, alimentación para dispositivos portátiles, controladores, sistemas de batería, circuitos de convertidor de fuente de alimentación.
MOSFET de potencia TrenchFET
Protección ESD de fuente de puerta de 1.000 V
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V SC-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-89 de 6 pines
- MOSFET Vishay VDSS 20 V SC-89 2, config. Doble
- MOSFET Vishay SI1025X-T1-GE3 ID 135 mA 2elementos, config. Aislado
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-89 de 6 pines
- MOSFET Vishay VDSS 20 V SC-89 2, config. Doble
- MOSFET VDSS 60 V SC-70
- MOSFET Vishay Tipo N-Canal SI1029X-T1-GE3 ID 300 mA Mejora de 6 pines config. Aislado
