MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI1062X-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 0.53 A, SC-89 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

4,45 €

(exc. IVA)

5,375 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Existencias limitadas
  • Disponible(s) 950 unidad(es) más para enviar a partir del 18 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 - 250,178 €4,45 €
50 - 750,174 €4,35 €
100 - 2250,13 €3,25 €
250 - 9750,129 €3,23 €
1000 +0,067 €1,68 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7339
Nº ref. fabric.:
SI1062X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.53A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-89

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.8mm

Estándar de automoción

No

El canal N de 20 V, 530 mA (Ta) y 220 mW (Ta) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie con tipo de encapsulado SC-89-3 y sus aplicaciones son conmutación de carga, alimentación para dispositivos portátiles, controladores, sistemas de batería, circuitos de convertidor de fuente de alimentación.

MOSFET de potencia TrenchFET

Protección ESD de fuente de puerta de 1.000 V

Enlaces relacionados