MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI1062X-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 0.53 A, SC-89 de 3 pines
- Código RS:
- 256-7339
- Nº ref. fabric.:
- SI1062X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,178 € | 4,45 € |
| 50 - 75 | 0,174 € | 4,35 € |
| 100 - 225 | 0,13 € | 3,25 € |
| 250 - 975 | 0,129 € | 3,23 € |
| 1000 + | 0,067 € | 1,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7339
- Nº ref. fabric.:
- SI1062X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.53A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-89 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.53A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-89 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El canal N de 20 V, 530 mA (Ta) y 220 mW (Ta) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie con tipo de encapsulado SC-89-3 y sus aplicaciones son conmutación de carga, alimentación para dispositivos portátiles, controladores, sistemas de batería, circuitos de convertidor de fuente de alimentación.
MOSFET de potencia TrenchFET
Protección ESD de fuente de puerta de 1.000 V
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