MOSFET, N-Canal Vishay SI1062X-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 530 mA, SC-89 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7339
Nº ref. fabric.:
SI1062X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

530mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-89

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

800μm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El canal N de 20 V, 530 mA (Ta) y 220 mW (Ta) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie con tipo de encapsulado SC-89-3 y sus aplicaciones son conmutación de carga, alimentación para dispositivos portátiles, controladores, sistemas de batería, circuitos de convertidor de fuente de alimentación.

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