MOSFET Vishay SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 812-3091
Nº ref. fabric.:: SI1922EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

3050 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)

0,315 €

(exc. IVA)

0,381 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
50 - 450	0,315 €	15,75 €
500 - 1200	0,233 €	11,65 €
1250 - 2450	0,195 €	9,75 €
2500 - 4950	0,173 €	8,65 €
5000 +	0,158 €	7,90 €
*precio indicativo

Código RS:: 812-3091
Nº ref. fabric.:: SI1922EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	263 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	1,25 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Material del transistor	Si
Longitud	2.2mm
Ancho	1.35mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,6 nC a 8 V
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 812-3091
Nº ref. fabric.:: SI1922EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

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