MOSFET Vishay Si1416EDH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,9 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3063
Nº ref. fabric.:: Si1416EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay Si1416EDH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,9 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

1540 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,34 €

(exc. IVA)

0,41 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 180	0,34 €	6,80 €
200 - 480	0,238 €	4,76 €
500 - 980	0,17 €	3,40 €
1000 - 1980	0,136 €	2,72 €
2000 +	0,119 €	2,38 €
*precio indicativo

Código RS:: 812-3063
Nº ref. fabric.:: Si1416EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	77 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	2,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	1.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	7,5 nC a 10 V
Longitud	2.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 812-3063
Nº ref. fabric.:: Si1416EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay Si1416EDH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,9 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

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