MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si1416EDH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3.9 A, Mejora, SC-88 de 6 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
812-3063
Nº ref. fabric.:
Si1416EDH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

Si1416EDH

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

77mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.2mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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