MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI1021R-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 A, SC-75, Mejora de 3 pines

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Código RS:
180-7261
Nº ref. fabric.:
SI1021R-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

190A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8Ω

Modo de canal

Mejora

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia TrenchFET de la serie Siliconix Si1021R de Vishay tiene una resistencia de estado activo baja y una velocidad de conmutación rápida. Se utiliza en sistemas alimentados por batería, circuitos de convertidor de fuente de alimentación, relés de estado sólido y controladores.

Fácil accionamiento de los interruptores

Baja tensión de offset

Funcionamiento de baja tensión

Circuitos de alta velocidad

Fácil de accionar sin búfer

Área de placa pequeña

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