MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIB406EDK-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 5.1 A, Mejora, SC-75 de 6 pines

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Código RS:
814-1247
Nº ref. fabric.:
SIB406EDK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-75

Serie

SiB406EDK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

10W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.7mm

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.7 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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