MOSFET, N-Canal Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines

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Código RS:
165-7259
Nº ref. fabric.:
SI1012CR-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

630mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-75

Serie

Si1012CR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.1Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

800mV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-8V, +8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

240mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

800μm

Anchura

860μm

Longitud

1.68mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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