MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-7259
Nº ref. fabric.:: SI1012CR-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 08/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,082 €

(exc. IVA)

0,099 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,082 €	246,00 €
6000 +	0,078 €	234,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-7259
Nº ref. fabric.:: SI1012CR-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Si1012CR, N-Channel 20V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	630 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SC-75
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,1 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	240 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Longitud	1.68mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,3 nC a 8 V
Ancho	0.86mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.8mm

MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor