MOSFET Vishay SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-6981
Nº ref. fabric.:: SIS892ADN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

2750 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,474 €

(exc. IVA)

0,574 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,474 €	1.422,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-6981
Nº ref. fabric.:: SIS892ADN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

SiS892ADN, N-Channel 100V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	47 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	52 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	3.4mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	12,8 nC a 10 V
Altura	1.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor