MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SiSF20DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2,

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Código RS:
188-5025
Nº ref. fabric.:
SiSF20DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Disipación de potencia máxima Pd

69.4W

Configuración de transistor

Drenaje común

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Anchura

3.4 mm

Longitud

3.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

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