MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS23DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 27 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
814-1314
Nº ref. fabric.:
SISS23DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

195nC

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.78mm

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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