MOSFET Vishay SiSS05DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 108 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-5013
Nº ref. fabric.:: SiSS05DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SiSS05DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 108 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,916 €

(exc. IVA)

1,108 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	0,916 €	9,16 €
100 - 240	0,898 €	8,98 €
250 - 490	0,706 €	7,06 €
500 - 990	0,643 €	6,43 €
1000 +	0,531 €	5,31 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-5013
Nº ref. fabric.:: SiSS05DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SiSS05DN-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

P-Canal 30 V (D-S) MOSFET.

MOSFET de potencia de canal p Gen IV de TrenchFET®
Proporciona RDS(on) excepcionalmente bajo en un paquete compacto que se mejora térmicamente
Permite una mayor densidad de potencia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	108 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8S
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	65,7 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +16 V.
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	76 nC a 10 V
Longitud	3.3mm
Tensión de diodo directa	1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.78mm

MOSFET Vishay SiSS05DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 108 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

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