MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSS05DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 108 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

9,97 €

(exc. IVA)

12,06 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 06 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 900,997 €9,97 €
100 - 2400,978 €9,78 €
250 - 4900,769 €7,69 €
500 - 9900,70 €7,00 €
1000 +0,578 €5,78 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-5013
Número de artículo Distrelec:
304-38-851
Nº ref. fabric.:
SiSS05DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

108A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSS05DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

76nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3 mm

Altura

0.78mm

Estándar de automoción

No

P-Canal 30 V (D-S) MOSFET.

MOSFET de potencia de canal p Gen IV de TrenchFET®

Proporciona RDS(on) excepcionalmente bajo en un paquete compacto que se mejora térmicamente

Permite una mayor densidad de potencia

Enlaces relacionados