MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSS61DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 111.9 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-5117
Número de artículo Distrelec:
304-32-537
Nº ref. fabric.:
SiSS61DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

111.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

SiSS61DN

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

154nC

Disipación de potencia máxima Pd

65.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.78mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.3 mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

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