MOSFET Vishay SISS73DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 16,2 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-4940
Nº ref. fabric.:: SISS73DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SISS73DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 16,2 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

5710 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,097 €

(exc. IVA)

1,327 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	1,097 €	10,97 €
100 - 240	1,043 €	10,43 €
250 - 490	0,878 €	8,78 €
500 - 990	0,713 €	7,13 €
1000 +	0,55 €	5,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-4940
Nº ref. fabric.:: SISS73DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SISS73DN-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

P-Canal 150 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® con tecnología ThunderFET
RDS(on) muy bajo minimiza la pérdida de potencia de la conducción

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	16,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8S
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	125 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	65.8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.3mm
Longitud	3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	14,6 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	0.78mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SISS73DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 16,2 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

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