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    MOSFET Vishay SISS23DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 27 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

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    3000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
    Unidades

    Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

    0,292 €

    (exc. IVA)

    0,353 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Por unidad
    Por Carrete*
    3000 +0,292 €876,00 €

    *precio indicativo

    Código RS:
    165-6922
    Nº ref. fabric.:
    SISS23DN-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay
    COO (País de Origen):
    CN
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalP
    Corriente Máxima Continua de Drenaje27 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
    SerieTrenchFET
    Tipo de EncapsuladoPowerPAK 1212-8
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines8
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente11,5 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta mínima0.4V
    Disipación de Potencia Máxima57 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-8 V, +8 V
    Longitud3.3mm
    Material del transistorSi
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Número de Elementos por Chip1
    Ancho3.3mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs195 nC a 10 V
    Altura0.78mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C

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