MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 108 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
188-4900
Nº ref. fabric.:
SiSS05DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

108A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiSS05DN

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

76nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.78mm

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

P-Canal 30 V (D-S) MOSFET.

MOSFET de potencia de canal p Gen IV de TrenchFET®

Proporciona RDS(on) excepcionalmente bajo en un paquete compacto que se mejora térmicamente

Permite una mayor densidad de potencia

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