MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSS05DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 108 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 188-4900
- Nº ref. fabric.:
- SiSS05DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-4900
- Nº ref. fabric.:
- SiSS05DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 108A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SiSS05DN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +16V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 780μm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 108A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SiSS05DN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +16V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 780μm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
P-Canal 30 V (D-S) MOSFET.
MOSFET de potencia de canal p Gen IV de TrenchFET®
Proporciona RDS(on) excepcionalmente bajo en un paquete compacto que se mejora térmicamente
Permite una mayor densidad de potencia
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