MOSFET Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 170-8393
Nº ref. fabric.:: SI7121DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

6940 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,476 €

(exc. IVA)

0,576 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,476 €	1.428,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 170-8393
Nº ref. fabric.:: SI7121DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	9,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	26 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	27,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	33 nC a 10 V
Longitud	3.15mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	3.15mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-50 °C