MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
818-1380
Nº ref. fabric.:
SI7121DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

Si7121DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

26mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Disipación de potencia máxima Pd

27.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.15mm

Altura

1.07mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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