- Código RS:
- 818-1380
- Nº ref. fabric.:
- SI7121DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
6940 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
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Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
10 + | 0,401 € | 4,01 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 818-1380
- Nº ref. fabric.:
- SI7121DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9,6 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
Tipo de Encapsulado | PowerPAK 1212-8 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 26 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 27,8 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -25 V, +25 V |
Ancho | 3.15mm |
Material del transistor | Si |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Longitud | 3.15mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 33 nC a 10 V |
Altura | 1.07mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50 °C |
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