MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSH101DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
188-5039
Número de artículo Distrelec:
304-32-535
Nº ref. fabric.:
SiSH101DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiSH101DN

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

68nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.93mm

Estándar de automoción

No

P-Canal 30 V (D-S) MOSFET.

MOSFET de potencia TrenchFET®

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