MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo P-Canal SI7129DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines, 1, config.
- Código RS:
- 818-1384
- Nº ref. fabric.:
- SI7129DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
14,34 €
(exc. IVA)
17,36 €
(inc.IVA)
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,717 € | 14,34 € |
| 100 - 180 | 0,674 € | 13,48 € |
| 200 - 480 | 0,645 € | 12,90 € |
| 500 - 980 | 0,574 € | 11,48 € |
| 1000 + | 0,538 € | 10,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 818-1384
- Nº ref. fabric.:
- SI7129DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | Si7129DN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie, Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Anchura | 3.15mm | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Altura | 1.07mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie Si7129DN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo de montaje Superficie, Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Anchura 3.15mm | ||
Longitud 3.15mm | ||
Altura 1.07mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P, 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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