MOSFET Vishay SI7129DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 11,5 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
818-1384
Nº ref. fabric.:
SI7129DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11,5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

52,1 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

47,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

3.15mm

Material del transistor

Si

Altura

1.07mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50 °C

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor



Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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