MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo P-Canal SI7129DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines, 1, config.

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo P

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

30 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

35 A

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Modo de canal

Mejora

Número de pines

8

Número de elementos por chip

1

Configuración de transistor

Simple

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

1.07 mm

Longitud

3.15 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

20 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20 V, +20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

52.1 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50 °C

Tipo de montaje

Superficie

Serie

Si7129DN

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

24.6 nC

Anchura

3.15 mm