MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo P-Canal SI7129DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines, 1, config.

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Código RS:
165-6294
Nº ref. fabric.:
SI7129DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

Si7129DN

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24.6nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50°C

Disipación de potencia máxima Pd

52.1W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Longitud

3.15mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Altura

1.07mm

Anchura

3.15 mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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