MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo P-Canal SI7129DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines, 1, config.
- Código RS:
- 165-6294
- Nº ref. fabric.:
- SI7129DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 165-6294
- Nº ref. fabric.:
- SI7129DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 30 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 35 A | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.2 V | |
| Altura | 1.07 mm | |
| Longitud | 3.15 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 20 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20 V, +20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 52.1 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | Si7129DN | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 24.6 nC | |
| Anchura | 3.15 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 30 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 35 A | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.2 V | ||
Altura 1.07 mm | ||
Longitud 3.15 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 20 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V, +20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 52.1 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie Si7129DN | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 24.6 nC | ||
Anchura 3.15 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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