MOSFET Vishay SI7119DN-T1-GE3

El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 200V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1,05ohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 52W mW y una corriente de drenaje continua de 3,8A A. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. Tiene aplicaciones en la abrazadera activa en fuentes de alimentación dc/dc intermedias. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• encapsulado powerpak de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1,07 mm
• de potencia de disipación máxima de 52W mW
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 50 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado