MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7119DN-T1-GE3, VDSS 200 V, ID 3.8 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
180-7820
Nº ref. fabric.:
SI7119DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.1Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

50°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Anchura

3.3 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 200V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1050mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 52W mW y una corriente de drenaje continua de 3,8A A. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. Tiene aplicaciones en la abrazadera activa en fuentes de alimentación dc/dc intermedias. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• encapsulado powerpak de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1,07 mm

• de potencia de disipación máxima de 52W mW

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 50 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

• UIS probado

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