MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIS443DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 35 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

Código RS:: 180-7730
Nº ref. fabric.:: SIS443DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIS443DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 35 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:: 180-7730
Nº ref. fabric.:: SIS443DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	35A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0117Ω
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	41.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd	52W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	3.61 mm
	Altura	0.79mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	3.61mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 35A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0117Ω
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd 52W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 3.61 mm
	Altura 0.79mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 3.61mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 40V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 11,7mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 52W mW y una corriente de drenaje continua de 35A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Interruptores adaptadores

• convertidores dc/dc

• Interruptores de carga

• Computación móvil

• Ordenadores portátiles

• Gestión de alimentación

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado