MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIS415DNT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 35 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
814-1304
Nº ref. fabric.:
SIS415DNT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET Gen III

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55.5nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

0.8mm

Anchura

3.4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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