MOSFET Vishay SIS415DNT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 22 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-6920
Nº ref. fabric.:: SIS415DNT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIS415DNT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 22 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

2920 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,267 €

(exc. IVA)

0,323 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,267 €	801,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-6920
Nº ref. fabric.:: SIS415DNT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	22 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	52 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Longitud	3.4mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	117 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.8mm