MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7415DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.7 A, PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines

Código RS:: 180-7317
Nº ref. fabric.:: SI7415DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7415DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.7 A, PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines

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Código RS:: 180-7317
Nº ref. fabric.:: SI7415DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.065Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	3.8W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.61mm
	Altura	1.12mm
	Anchura	3.61mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.065Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 3.8W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.61mm
	Altura 1.12mm
	Anchura 3.61mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 65mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 3,8W mW y una corriente de drenaje continua de 5,7A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Cambio rápido

• Libre de halógenos

• Componente sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• accionamientos de motor de medio puente

• Convertidores reductores no síncronos de alta tensión

• Interruptores de carga

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007