MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7415DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.7 A, PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines

Código RS:: 180-7759
Nº ref. fabric.:: SI7415DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7415DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.7 A, PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
10 - 90	1,471 €	14,71 €
100 - 240	1,324 €	13,24 €
250 - 490	1,177 €	11,77 €
500 - 990	1,074 €	10,74 €
1000 +	0,926 €	9,26 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-7759
Nº ref. fabric.:: SI7415DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.065Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.8W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Longitud	3.61mm
	Anchura	3.61 mm
	Altura	1.12mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.065Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.8W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Longitud 3.61mm
	Anchura 3.61 mm
	Altura 1.12mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 65mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 3,8W mW y una corriente de drenaje continua de 5,7A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Cambio rápido

• Libre de halógenos

• Componente sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• accionamientos de motor de medio puente

• Convertidores reductores no síncronos de alta tensión

• Interruptores de carga

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007