Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7615ADN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 35 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

Código RS:: 787-9248
Nº ref. fabric.:: SI7615ADN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7615ADN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 35 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:: 787-9248
Nº ref. fabric.:: SI7615ADN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	35A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	Si7615ADN
	Encapsulado	PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0044Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	59nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.1V
	Disipación de potencia máxima Pd	52W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	Lead (Pb)-Free
	Anchura	3.4 mm
	Longitud	3.4mm
	Altura	1.12mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 35A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie Si7615ADN
	Encapsulado PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0044Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.1V
	Disipación de potencia máxima Pd 52W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares Lead (Pb)-Free
	Anchura 3.4 mm
	Longitud 3.4mm
	Altura 1.12mm
	Estándar de automoción No

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7615ADN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 35 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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