Vishay IGBT, SI7121ADN-T1-GE3, Tipo P-Canal, PowerPAK 1212-8, 8 pines Superficie
- Código RS:
- 180-7866
- Nº ref. fabric.:
- SI7121ADN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 180-7866
- Nº ref. fabric.:
- SI7121ADN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 27.8W | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 50°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.61mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.61 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 9.8mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 27.8W | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 50°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.61mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.61 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 9.8mJ | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 25V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 15mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 27,8W mW y una corriente de drenaje continua de 18A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. Con la ayuda de este MOSFET, se puede lograr un excelente rendimiento y eficiencia a un coste más bajo. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• encapsulado powerpak de baja resistencia térmica con tamaño pequeño
• La potencia de disipación máxima es de 27,8W mW
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 50 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Computación móvil
• Interruptores adaptadores
• Interruptores de carga - Gestión de la batería
• Ordenadores portátiles
• Gestión de alimentación
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado