IGBT, SI7121ADN-T1-GE3

El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 25V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 15mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 27,8W mW y una corriente de drenaje continua de 18A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. Con la ayuda de este MOSFET, se puede lograr un excelente rendimiento y eficiencia a un coste más bajo. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• encapsulado powerpak de baja resistencia térmica con tamaño pequeño
• La potencia de disipación máxima es de 27,8W mW
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 50 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Computación móvil
• Interruptores adaptadores
• Interruptores de carga - Gestión de la batería
• Ordenadores portátiles
• Gestión de alimentación

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado